复旦单电子存储器突破为二维芯片微缩开辟新路径
Fudan's single-electron memory breakthrough opens new path for 2D chip scaling
中文摘要
复旦大学团队开发出基于二维材料的室温单电子非易失性存储器器件，为中国存储器技术研究提供新方向。该成果有望推动二维芯片微缩，但尚处研究阶段，未涉及量产或供应链变化。
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