美光称NVHBM即使采用外包基础裸片也将提升盈利能力
美光科技（Micron Technology）为其面向NVIDIA开发的定制高带宽内存产品NVHBM，将采用外部制造的基础裸片（base die）。尽管基础裸片生产外包，美光表示NVHBM仍将改善盈利能力。该产品属于HBM定制化方向，涉及美光与NVIDIA在存储器件上的合作，基础裸片由外部代工供应，与存储芯片及先进封装供应链相关。
原文深度解读
文章主题是美光科技（Micron Technology）为NVIDIA开发的定制高带宽内存产品NVHBM，将采用外部代工制造的基础裸片（base die），但仍预期改善盈利能力。涉及主体包括美光、NVIDIA、台积电（TSMC）以及JEDEC标准HBM4E产品家族。时间点为2026财年第四季度财报活动（9月30日）。关键数字包括：功耗降低15%、内存带宽提升最高30%、I/O PHY封装面积减少最高67%。与电子元器件供应链的关系在于：基础裸片由外部晶圆代工厂供应，涉及HBM堆栈中控制层的外包、先进制程（3纳米级）以及定制化存储与AI加速器GPU的协同设计。
- 美光CTPO Scott J. DeBoer在2026财年第四季度财报活动上表示，与NVIDIA共同设计的定制NVHBM以及JEDEC标准HBM4E产品家族均采用由晶圆代工工艺制造的基础裸片，这与美光HBM4使用内部开发基础裸片的做法不同。
- 基础裸片是HBM堆栈底部的控制层，负责处理上方多个核心裸片（DRAM芯片）的数据读写和纠错，并连接CPU、GPU等计算系统，影响内存性能与稳定性。
- 美光HBM4的核心裸片采用10纳米级第五代1-beta（1β）工艺制造，基础裸片为内部开发；从第七代HBM4E家族开始，核心裸片将采用10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺，该世代对应三星电子和SK海力士使用的1c工艺世代。
- 美光将HBM4E基础裸片的生产外包给台积电（TSMC），该裸片被认为基于3纳米级工艺，比美光此前用于自产基础裸片的传统工艺更先进，在功耗、性能和面积（PPA）方面具有优势；基于HBM4E的NVHBM基础裸片将采用相同方式。
- 尽管外包基础裸片，NVHBM的平均售价（ASP）和利润率预计将改善。美光COO Manish Bhatia表示，HBM已是高端产品类别，而NVHBM增加了定制化功能，创造更大价值，成功商业化将带来强劲投资回报（ROI）。
- NVHBM是NVIDIA与内存制造商及代工厂合作设计的产品，从设计阶段就针对AI加速器GPU优化内存，采用NVIDIA NVLink Fusion开放互连架构；部分遵循JEDEC HBM4E标准，但通过定制基础裸片提升性能。NVIDIA称NVHBM将内存控制器从主计算裸片移至基础裸片，功耗降低15%，内存带宽提升最高30%，I/O PHY封装面积减少最高67%，相比标准HBM4E带宽提升最高30%、HBM功耗降低15%。
供应链影响
- 基础裸片外包给台积电可能使美光在HBM4E及NVHBM上更依赖外部晶圆代工产能，其供应稳定性可能取决于台积电3纳米级制程的产能分配。
- NVHBM将内存控制器集成到基础裸片并采用定制PHY，可能改变HBM堆栈中控制层与计算芯片之间的供应链分工，相关先进封装环节的复杂度可能上升。
- 从HBM4的内部基础裸片转向HBM4E的外部代工基础裸片，可能影响美光在基础裸片环节的自主制造比例，其成本结构和利润率改善能否实现可能取决于代工价格与良率。
- NVHBM针对NVIDIA AI加速器GPU定制，其商业化进展可能影响美光与NVIDIA之间存储器件供应的绑定程度，并可能带动对HBM4E标准产品与定制产品之间产能的重新分配。
- 若NVHBM的功耗降低15%、带宽提升最高30%等性能优势在系统层面得到验证，可能推动AI加速器GPU对定制HBM的采用，进而影响HBM供应链中定制化基础裸片和先进制程代工的需求结构。
系统解读，仅作为判断线索，不构成备货、出货、涨价或投资建议。
NVIDIA NVHBM。（图片来源：NVIDIA）
美光科技（Micron Technology）将为其面向NVIDIA开发的定制高带宽内存（HBM）产品NVHBM，采用外部制造的基础裸片（base die）。尽管基础裸片生产外包，该产品预计仍将产生更高的盈利能力。
美光总裁兼首席技术与产品官（CTPO）Scott J. DeBoer在9月30日举行的公司2026财年第四季度财报活动上表示，与NVIDIA共同设计的定制NVHBM以及联合电子器件工程委员会（JEDEC）标准HBM4E产品家族，均采用由晶圆代工工艺制造的基础裸片进行开发。他表示，这与美光的HBM4工艺不同，后者使用的是内部开发的基础裸片。
基础裸片是HBM堆栈底部的控制层。它影响内存性能和稳定性，负责处理上方堆叠的多个核心裸片（即DRAM芯片）的数据读写和纠错。它还将内存与中央处理器（CPU）、图形处理器（GPU）等计算系统连接起来。
美光使用其10纳米级第五代1-beta（1β）工艺和内部开发的基础裸片制造HBM4的核心裸片。从第七代HBM4E家族开始，它将使用10纳米级第六代1-gamma（1γ）工艺生产的核心裸片。1γ世代对应三星电子和SK海力士使用的1c工艺世代。
美光将HBM4E基础裸片的生产外包给台积电（TSMC）。该裸片被认为基于3纳米级工艺。这比美光此前用于制造自身基础裸片的传统工艺更为先进，在功耗、性能和面积（PPA）方面具有优势。基于HBM4E的NVHBM基础裸片将采用相同方式。
NVHBM与传统HBM的互连结构和裸片面积比较。（图片来源：NVIDIA）
尽管外包基础裸片，NVHBM的平均售价（ASP）和利润率预计将改善。美光首席运营官（COO）Manish Bhatia表示，HBM已经是高端产品类别，但NVHBM增加了定制化功能，创造了更大价值。他表示，NVHBM的成功商业化将带来强劲的投资回报（ROI）。
NVHBM是NVIDIA与内存制造商和代工厂合作设计的产品，旨在从设计阶段就为人工智能（AI）加速器GPU优化内存。它采用NVIDIA的NVLink Fusion开放互连架构。虽然部分遵循JEDEC HBM4E标准，但它通过定制基础裸片提升性能。NVIDIA将NVHBM描述为一种定制的下一代HBM架构，具有由NVIDIA设计的定制基础裸片和内存控制器，并与领先内存供应商进行了验证。
NVHBM将此前位于主计算裸片上的内存控制器移至基础裸片中。这使功耗降低15%，内存带宽提升最高30%。它还集成了用于输入/输出（I/O）的定制物理层（PHY），使I/O PHY所需的封装面积减少最高67%。NVIDIA表示，与标准HBM4E相比，NVHBM提供最高30%的内存带宽提升和15%的HBM功耗降低。
NVIDIA可能要求采用台积电制造的基础裸片才能达到同等性能水平。
DeBoer表示，即使基础裸片由外部代工厂制造，美光仍将保持其在能效、优化速度性能和营业利润率方面的优势，正如其前几代HBM一样。他补充说，美光将与客户合作，在系统层面创造更大价值。
NVIDIA NVHBM. (Photo: NVIDIA)
Micron Technology will use a base die manufactured externally for its custom high-bandwidth memory (HBM) product, NVHBM, being developed for NVIDIA. Despite outsourcing production of the base die, the product is expected to generate higher profitability.
Scott J. DeBoer, president and chief technology and products officer (CTPO) at Micron, said at the company's fourth-quarter fiscal 2026 earnings event on Sept. 30 that both the custom NVHBM co-designed with NVIDIA and the Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) standard HBM4E product family are being developed with base dies made using a foundry process. He said this differs from Micron's HBM4 process, which used a base die developed in-house.
The base die is the control layer at the bottom of an HBM stack. It affects memory performance and stability, handling data reads and writes and error correction for multiple core dies, or DRAM chips, stacked above it. It also connects the memory with computing systems such as central processing units (CPUs) and graphics processing units (GPUs).
Micron manufactures the core dies for HBM4 using its 10-nanometer-class fifth-generation 1-beta (1β) process and its internally developed base die. Starting with the seventh-generation HBM4E family, it will use core dies produced with its 10-nanometer-class sixth-generation 1-gamma (1γ) process. The 1γ generation corresponds to the 1c process generation used by Samsung Electronics and SK Hynix.
Micron is outsourcing production of the HBM4E base die to Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC). The die is believed to be based on a 3-nanometer-class process. That is a more advanced process than the legacy process Micron previously used to manufacture its own base dies, offering advantages in power, performance and area (PPA). The base die for NVHBM based on HBM4E will use the same approach.
Comparison of the interconnect structure and die area of NVHBM and conventional HBM. (Photo: NVIDIA)
Despite outsourcing the base die, NVHBM's average selling price (ASP) and margin are expected to improve. Manish Bhatia, Micron's chief operating officer (COO), said HBM is already a premium product category, but NVHBM adds customized features that create even greater value. He said successful commercialization of NVHBM would deliver a strong return on investment (ROI).
NVHBM is a product NVIDIA has designed in collaboration with memory manufacturers and foundries to optimize the memory for artificial intelligence (AI) accelerator GPUs from the design stage. It uses NVIDIA's NVLink Fusion open interconnect architecture. While partly following the JEDEC HBM4E standard, it improves performance through a customized base die. NVIDIA describes NVHBM as a custom next-generation HBM architecture with a custom base die and memory controller designed by NVIDIA and validated with leading memory providers.
NVHBM moves the memory controller, which was previously located on the main compute die, into the base die. This reduces power consumption by 15% and increases memory bandwidth by as much as 30%. It also integrates a customized physical layer (PHY) for input/output (I/O), reducing the package area required for the I/O PHY by as much as 67%. NVIDIA says NVHBM provides up to 30% greater memory bandwidth and 15% lower HBM power consumption than standard HBM4E.
NVIDIA may have required a TSMC-manufactured base die to achieve the same level of performance.
DeBoer said that even with a base die manufactured by an external foundry, Micron would maintain its advantages in power efficiency, optimized speed performance and operating margin, as it has with previous generations of HBM. He added that Micron would work with customers to create greater value at the system level.