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DigiTimes原文发布 09-18 13:56Radar 收录 09-18 14:21查看原文 ↗

中国存储推进在LPDDR6、先进NAND上取得进展,HBM仍是考验关键事件

China's memory push gains ground across LPDDR6, advanced NAND, with HBM still the test
中文摘要

AI正在重塑全球存储产业,在收紧供应的同时为中国本土供应商创造机会。三星电子、SK海力士与美光优先发展高带宽存储,中国厂商则在LPDDR6与先进NAND上取得进展,HBM仍是待突破的考验。

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