京都大学打造耐 600°C SiC 电晶体！标准离子布植解决漏电、电压漂移问题

日本京都大学研究团队成功开发出一款可在600°C高温下运作的碳化矽（SiC）电晶体，采用商业晶圆厂广泛使用的标准离子布植技术，解决了高温下的漏电与电压漂移问题。此成果有望推动高温电子应用，与半导体材料及元件供应链相关。