“自22nm以来最佳”：英特尔14A缺陷密度曲线的成色与潜台词

英特尔CFO辛斯纳称14A缺陷密度下降速度为22nm以来最佳，但对比口径是开发阶段轨迹而非最终良率。14A叠加第二代GAA、背面供电与High-NA EUV三项新技术，复杂度远超前代，快速爬坡含金量高；外部客户已从看数据转向问产能，2028年量产倒计时下与台积电A14正面相撞。