东芝推出具备高浪涌电流能力3300V SiC MOSFET模块,助力提升工业设备可靠性
中文摘要
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块IX800FXF2YMS4,进一步扩充产品线。该模块具备高浪涌电流能力,额定电压3300V,用于提升工业设备可靠性。
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东芝电子元件及存储装置株式会社宣布推出面向工业设备的双SiC MOSFET模块IX800FXF2YMS4,进一步扩充产品线。该模块具备高浪涌电流能力,额定电压3300V,用于提升工业设备可靠性。
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