← 返回全部时间线 全球半导体观察 · 存储器原文发布 07-28 10:28Radar 收录 07-28 10:30 三星电子透露HBM5将采用2纳米GAA工艺性能较HBM4E提升超五成 中文摘要三星电子称HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E快50%以上。 正文内容 · AI翻译 该条原文为中文，请通过文末原文入口阅读全文。