英飞凌扩大与SolarEdge Technologies的合作
英飞凌扩大与SolarEdge Technologies的合作，此次合作直接建立在SolarEdge的SST平台之上，采用英飞凌SiC器件，该平台于2025年11月首次发布。SST平台设计用于实现从中压（13.8-34.5 kV）直接到800-的转换。
原文深度解读
本文报道英飞凌（Infineon Technologies）与以色列智能能源公司SolarEdge Technologies扩大合作，共同推进面向AI及超大规模数据中心高压直流配电的固态断路器（SSCB）技术。SolarEdge主导SSCB方案设计，英飞凌提供碳化硅（SiC）JFET技术作为保护器件核心。该合作直接建立在SolarEdge的SST平台之上，该平台采用英飞凌SiC器件，于2025年11月首次发布，设计用于实现中压（13.8-34.5 kV）直接到800-1500 VDC的转换，效率超过99%。文章还引用了SolarEdge CEO Shuki Nir和英飞凌工业与基础设施执行副总裁兼首席销售官Andreas Weisl的表态。与电子元器件供应链的关系在于：SiC JFET等功率半导体器件是SSCB和SST平台的核心元器件，合作扩大可能影响相关功率器件的需求与供应格局。
- 英飞凌与SolarEdge宣布扩大合作，推进面向AI和超大规模数据中心高压直流配电的固态断路器（SSCB）技术。
- SolarEdge主导SSCB方案设计，英飞凌提供碳化硅（SiC）JFET技术作为保护器件核心。
- SSCB设计目标是在几微秒内切断故障，且无机械触点需要分离；英飞凌CoolSiC JFET器件据新闻稿称可提供高效运行和优异鲁棒性。
- 该合作直接建立在SolarEdge的SST平台之上，该平台采用英飞凌SiC器件，于2025年11月首次发布。
- SST平台设计用于实现中压（13.8-34.5 kV）直接到800-1500 VDC转换，效率超过99%，将多个转换级合并为单一方案并减少物理占用。
- SolarEdge CEO Shuki Nir表示，800 VDC高密度AI基础设施要求不妥协的效率和保护，固态保护可实现超快可靠故障隔离而不牺牲转换性能，英飞凌SiC技术使其可规模化；英飞凌Andreas Weisl表示，当前数据基础设施更易受电气故障影响，推动对更智能、更快、更鲁棒配电系统的需求。
供应链影响
- 若SSCB和SST平台在AI及超大规模数据中心中扩大部署，可能带动对SiC JFET等功率半导体器件的需求增长。
- 英飞凌作为SiC JFET技术核心供应商，其在该合作中的角色可能影响相关功率器件在数据中心配电领域的供应格局。
- SST平台将多个转换级合并为单一方案并减少物理占用，可能改变数据中心配电系统中功率转换与保护器件的组合需求。
- 合作建立在2025年11月首次发布的SST平台之上，其后续放量节奏可能取决于AI数据中心800 VDC架构的采用进度。
- SSCB以微秒级故障切断和无机械触点为特点，若被广泛采用，可能影响传统机械保护器件在高压直流配电中的需求结构。
系统解读，仅作为判断线索，不构成备货、出货、涨价或投资建议。
© Liviorki
商业 | 2026年9月14日
Evertiq
该合作直接建立在SolarEdge的SST平台之上，该平台采用英飞凌SiC器件，于2025年11月首次发布。SST设计用于实现中压（13.8-34.5 kV）直接到800-1500 VDC转换，效率超过99%。
德国英飞凌科技（Infineon Technologies）与总部位于以色列的智能能源公司SolarEdge Technologies宣布扩大合作，推进面向AI和超大规模数据中心高压直流配电的固态断路器（SSCB）技术。
SolarEdge主导SSCB方案的设计，英飞凌提供其碳化硅（SiC）JFET技术，作为保护器件的核心。
据一份新闻稿称，固态断路器设计用于在几微秒内切断故障，且无机械触点需要分离，而英飞凌的CoolSiC JFET器件可提供高效运行和优异的鲁棒性。
该合作直接建立在SolarEdge的SST平台之上，该平台采用英飞凌SiC器件，于2025年11月首次发布。SST设计用于实现中压（13.8-34.5 kV）直接到800-1500 VDC转换，效率超过99%，将多个转换级合并为单一方案，同时减少物理占用。
“800 VDC的高密度AI基础设施要求不妥协的效率和保护，”SolarEdge首席执行官Shuki Nir表示。“固态保护将使运营商能够同时实现两者，在不牺牲转换性能的情况下提供超快且可靠的故障隔离。英飞凌的碳化硅技术使其能够规模化实用。”
“当今的数据基础设施已变得更易受电气故障影响，从而推动了对更智能、更快、更鲁棒配电系统的需求，”英飞凌工业与基础设施执行副总裁兼首席销售官Andreas Weisl表示。“通过将我们先进的碳化硅JFET技术与SolarEdge在最终配电方面的专长相结合，我们正在满足这些需求，以确保AI数据中心快速、安全和可靠的运行。”
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Business | September 14, 2026
Evertiq
The collaboration builds directly on SolarEdge's SST platform with Infineon SiC components, first announced in November 2025. The SST is designed to enable direct medium-voltage (13.8-34.5 kV) to 800-1500 VDC conversion at over 99 percent efficiency.
Germany’s Infineon Technologies and Israel-based smart energy company SolarEdge Technologies have announced an extension of their collaboration to advance solid-state circuit breaker (SSCB) technology for high-voltage DC distribution in AI and hyperscale data centers.
SolarEdge is leading the design of the SSCB solution, with Infineon providing its silicon carbide (SiC) JFET technology at the core of the protection devices.
Solid-state circuit breakers are designed to interrupt faults within a few microseconds, with no mechanical contacts to separate, while Infineon’s CoolSiC JFET devices deliver efficient operation and superior robustness, according to a press release.
The collaboration builds directly on SolarEdge's SST platform with Infineon SiC components, first announced in November 2025. The SST is designed to enable direct medium-voltage (13.8-34.5 kV) to 800-1500 VDC conversion at over 99 percent efficiency, collapsing multiple conversion stages into a single solution while reducing physical footprint.
“High-density AI infrastructure at 800 VDC demands uncompromising efficiency and protection,” said Shuki Nir, Chief Executive Officer of SolarEdge. “Solid-state protection will enable operators to achieve both, delivering ultra-fast and dependable fault isolation without sacrificing conversion performance. Infineon’s silicon carbide technology is what makes it practical at scale.”
“Today’s data infrastructures have become more vulnerable to electrical faults, thereby driving the demand for smarter, faster and more robust power distribution systems,” said Andreas Weisl, Executive Vice President and Chief Sales Officer of Industrial & Infrastructure at Infineon. “By combining our advanced silicon carbide JFET technology with SolarEdge’s expertise in final power distribution, we are addressing these demands to ensure fast, safe and reliable operations in AI data centers.”
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