Resonac 生长出 300mm SiC 晶体，标志衬底里程碑
Resonac grows 300mm SiC crystal, marking a substrate milestone
中文摘要
Resonac 已生长并加工出一块 300mm 碳化硅（SiC）单晶。该进展可能影响全球电动汽车与可再生能源系统所用功率电子的未来。原文未披露时间、地点、产量或客户信息。与元器件供应链的关联在于 SiC 衬底尺寸由 200mm 向 300mm 推进，属上游材料环节。
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