三星曝HBM「三阶段」演进：Base Die 突破瓶颈、扩充容量，最终迈向 zHBM

三星在Hot Chips等场合披露HBM演进路线图，分三阶段：近期通过Base Die改进突破带宽与功耗瓶颈，中期扩展容量，远期迈向zHBM。该路线图涉及HBM4等下一代产品，与存储芯片供应链技术迭代相关。