SEMI预计到2030年全球DRAM产能将增长41%
SEMI预计，到2030年全球DRAM产能将较去年增长41%，主要受15纳米及以下先进制程产品产量增长推动。该预测涉及全球DRAM制造产能的扩张趋势，与存储芯片供应链的长期供给能力相关。
原文深度解读
本文报道 SEMI 于 10 月 12 日在旧金山 Moscone Center 举行的 SEMI Market Symposium 上发布的预测：到 2030 年，全球 DRAM 产能将较去年增长 41%，达到每月 294 万片 8 英寸晶圆当量，主要受 15nm 及以下先进制程产品增长推动；NAND 闪存产能同期预计增长 21%，受 400 层以上产品产量增长推动。文章还涉及 HBM 对先进晶圆和后端处理资源的需求、传统 DRAM 产能减少或转产、先进产品占比提升可能带动材料与设备需求，以及 AI 改变半导体行业增长轨迹。与电子元器件供应链的关系在于，这些预测直接关系到存储芯片长期供给能力、先进与成熟制程产能结构变化，以及上游设备和材料需求节奏。
- SEMI 在 10 月 12 日于旧金山 Moscone Center 举行的 SEMI Market Symposium 上表示，全球 DRAM 产能按 8 英寸晶圆当量计算，将从去年的每月 208 万片增至 2030 年的每月 294 万片，五年增加 86 万片/月，CAGR 为 7.1%。
- DRAM 产能增长集中在 15nm 及以下先进制程：月产能预计从去年的 145 万片增至 2030 年的 245 万片，增加 100 万片，CAGR 为 11.1%；到 2030 年先进 DRAM 将占 DRAM 总产能约 83%。
- 16nm 及以上传统 DRAM 产能预计从 63.4 万片/月降至 49.2 万片/月，减少 14.2 万片/月；SEMI 市场情报高级总监 Clark Tseng 表示，HBM 生产比传统 DRAM 需要更先进的晶圆和后端处理资源，而传统 DRAM 产能正在减少或转作其他用途，因此即使总产能扩张，先进和传统 DRAM 都可能出现短缺。
- NAND 闪存产能预计从去年的 167 万片/月增至 2030 年的 202 万片/月，五年增加 35 万片/月，CAGR 约 4%；生产正从 239 至 400 层产品转向 400 层以上产品，后者去年几乎无产量，预计到 2030 年占 NAND 总产能约 82%，SEMI 还预计将出现 600 层产品。
- SEMI 指出，先进产品占比上升可能提振材料和设备需求：随着 NAND 层数增加，刻蚀和沉积工艺更复杂，应力控制和良率提升更具挑战；HBM 制造也因堆叠架构和生产工艺逐代演进而变得更困难，因此设备和材料需求可能比产能增长更快。
- 文章提到，鉴于主要存储制造商已宣布扩张计划，实际产能增长可能超过 SEMI 的预测；Clark Tseng 还表示，半导体制造增长正从单纯扩大产量转向提高技术强度，随着个人电脑和智能手机等传统市场走弱，人工智能正在改变半导体行业的增长轨迹。
供应链影响
- 如果 SEMI 预测成立，DRAM 总产能可能增长，但先进制程与传统制程的结构可能分化，传统 DRAM 供应可能趋紧，具体影响取决于实际扩产进度和转产节奏。
- HBM 对先进晶圆和后端处理资源的占用可能使先进 DRAM 与传统 DRAM 同时面临阶段性短缺风险，实际是否短缺取决于主要存储制造商的扩产兑现程度和需求变化。
- NAND 向 400 层以上及潜在 600 层产品迁移，可能提高刻蚀、沉积等设备以及相关材料的需求强度，设备和材料需求增速可能快于产能增速，但取决于技术爬坡和良率改善情况。
- 主要存储制造商已宣布扩张计划，实际产能增长可能超过 SEMI 预测，这可能改变存储芯片供给节奏，但最终影响取决于计划执行、市场需求和行业投资环境。
- AI 对半导体行业增长轨迹的影响以及 PC、智能手机等传统市场走弱，可能使存储供应链更偏向先进产品，但传统应用相关供应可能相应收缩，具体程度取决于终端需求结构变化。
系统解读，仅作为判断线索，不构成备货、出货、涨价或投资建议。
SEMI Market Symposium 于 10 月 12 日在旧金山 Moscone Center 举行。（照片：THE ELEC）
根据 SEMI 的说法，受 15 纳米（nm）及以下制程节点制造的先进产品增长推动，全球动态随机存取存储器（DRAM）产能预计到 2030 年将较去年增长 41%。
NAND 闪存产能同期也预计扩大 21%，原因是 400 层以上产品的产量增加。
全球半导体行业协会 SEMI 在 10 月 12 日于旧金山 Moscone Center 举行的 SEMI Market Symposium 上表示，按 8 英寸晶圆当量计算，全球 DRAM 产能将从去年的每月 208 万片增至 2030 年的每月 294 万片。五年增加 86 万片/月，代表复合年增长率（CAGR）为 7.1%。
产能增长将集中在 15nm 及以下制程节点制造的先进 DRAM。这些产品的月产能预计增加 100 万片，从去年的 145 万片增至 2030 年的 245 万片，CAGR 为 11.1%。到 2030 年，先进 DRAM 将占 DRAM 总产能约 83%。相比之下，16nm 及以上制程制造的传统 DRAM 产能预计每月减少 14.2 万片，从 63.4 万片降至 49.2 万片。
SEMI 市场情报高级总监 Clark Tseng 表示：“高带宽存储器（HBM）生产比传统 DRAM 需要更先进的晶圆和后端处理资源，而传统 DRAM 产能正在减少或转作其他用途。因此，即使总产能扩张，先进和传统 DRAM 都可能受到短缺影响。”
不过，鉴于主要存储制造商已宣布扩张计划，实际产能增长可能超过 SEMI 的预测。
NAND 闪存产能预计从去年的每月 167 万片增至 2030 年的每月 202 万片，五年增加 35 万片/月。这代表 CAGR 约为 4%。
向更新产品世代的过渡也在加速。生产正从 239 至 400 层的 NAND 产品转向 400 层以上的器件。这类产品去年几乎没有产量，预计到 2030 年将占 NAND 总产能约 82%。SEMI 还预计将出现 600 层产品。
先进产品占比上升可能提振材料和设备需求。随着 NAND 层数增加，刻蚀和沉积工艺变得更复杂，而应力控制和良率提升变得更具挑战。HBM 制造也随着堆叠架构和生产工艺逐代演进而变得更困难。因此，设备和材料需求可能比产能增长更快。
Tseng 表示：“半导体制造的增长正超越单纯扩大产量，转向提高技术强度。随着个人电脑和智能手机等传统市场走弱，人工智能正在改变半导体行业的增长轨迹。”
The SEMI Market Symposium was held at the Moscone Center in San Francisco on Oct. 12. (Photo: THE ELEC)
Global dynamic random-access memory (DRAM) production capacity is expected to increase 41% by 2030 compared with last year, driven by growth in advanced products manufactured at process nodes of 15 nanometers (nm) and below, according to SEMI.
NAND flash production capacity is also projected to expand 21% over the same period as output of products with more than 400 layers increases.
The global semiconductor industry association SEMI said at its SEMI Market Symposium held at the Moscone Center in San Francisco on Oct. 12 that global DRAM capacity, measured in 8-inch wafer equivalents, will rise to 2.94 million wafers per month in 2030 from 2.08 million last year. The increase of 860,000 wafers per month over five years represents a compound annual growth rate (CAGR) of 7.1%.
Capacity growth will be concentrated in advanced DRAM manufactured at process nodes of 15nm and below. Monthly capacity for these products is projected to rise by 1 million wafers, from 1.45 million last year to 2.45 million in 2030, representing a CAGR of 11.1%. Advanced DRAM will account for about 83% of total DRAM capacity by 2030. By contrast, capacity for legacy DRAM manufactured at 16nm and above is expected to decline by 142,000 wafers per month, from 634,000 to 492,000.
“High-bandwidth memory (HBM) production requires more advanced wafers and backend processing resources than conventional DRAM, while legacy DRAM capacity is being reduced or converted to other uses,” said Clark Tseng, Senior Director of Market Intelligence at SEMI. “As a result, shortages could affect both advanced and legacy DRAM even as overall capacity expands.”
Actual capacity growth could exceed SEMI’s forecast, however, given expansion plans announced by major memory makers.
NAND flash capacity is projected to increase to 2.02 million wafers per month in 2030 from 1.67 million last year, adding 350,000 wafers per month over five years. That represents a CAGR of about 4%.
The transition to newer product generations is also accelerating. Production is shifting from NAND products with 239 to 400 layers toward devices with more than 400 layers. Such products, which accounted for virtually no production last year, are expected to represent about 82% of total NAND capacity by 2030. SEMI also expects 600-layer products to emerge.
The growing share of advanced products could boost demand for materials and equipment. As NAND layer counts rise, etching and deposition processes become more complex, while stress control and yield improvement become more challenging. HBM manufacturing is also becoming more difficult as stacking architectures and production processes evolve with each generation. As a result, demand for equipment and materials could grow faster than production capacity.
“Growth in semiconductor manufacturing is moving beyond simply expanding output toward increasing technological intensity,” Tseng said. “As traditional markets such as personal computers and smartphones weaken, artificial intelligence is changing the growth trajectory of the semiconductor industry.”