长鑫存储准备年底推出 4F² DDR5 RDIMM 产品，预计超前三星 2 年

长鑫存储透露4F² DRAM架构研发取得新进展，并预告年底前推出结合4F²架构与混合键合等技术的新产品，为4F² DDR5 RDIMM，预计在时间上超前三星2年。