三星据报将10纳米以下DRAM路线图转向混合键合
Samsung reportedly shifts sub-10nm DRAM roadmap toward hybrid bonding
中文摘要
三星电子据报修改了其首代10纳米以下DRAM的路线图，将晶圆对晶圆混合键合架构作为D0a工艺的基线方案，同时调整了原有方案。该消息涉及三星电子的DRAM先进制程与封装技术路线变化。
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