Diodes Incorporated 推出场板超级势垒整流器®器件，为汽车系统带来业界领先的效率与可靠性
Diodes Incorporated（Nasdaq: DIOD）宣布推出符合汽车标准的场板超级势垒整流器（SBRFP）产品系列，包括 2A 的 SBRFP2M60P1Q 与 SBRFP2M60SAFQ，以及 3A 的 S 系列型号。该系列面向汽车系统，主打业界领先的效率与可靠性。
原文深度解读
本文是 Diodes Incorporated（Nasdaq: DIOD）关于其符合汽车标准的场板超级势垒整流器（SBRFP）产品系列的发布说明。涉及主体为 Diodes Incorporated；产品包括 2A 的 SBRFP2M60P1Q、SBRFP2M60SAFQ，3A 的 SBRFP3M60SAFQ，以及 8A 的 SBRFP8A60P5Q。关键数字包括：SBRFP8A60P5Q 在 8A 下最大正向电压 0.55V；SBRFP2M60P1Q 和 SBRFP3M60SAFQ 在 25°C 和 125°C 下最大反向漏电流分别为 12µA 和 7µA；雪崩能量额定值最高达 145mJ，是传统肖特基整流器的五到十倍；结温范围 -55°C 至 +175°C；1,000 件数量价格分别为 $0.08、$0.26、$0.11、$0.13。该产品面向汽车系统，作为肖特基和 PN 结二极管的直接替代品，与电子元器件供应链中的汽车级功率器件选型、DC-DC 转换器、反极性保护、电池充电、汽车 LED 照明和变速箱控制系统等应用相关。
- Diodes Incorporated 发布符合汽车标准的场板超级势垒整流器（SBRFP）产品系列，包括 2A 的 SBRFP2M60P1Q 和 SBRFP2M60SAFQ、3A 的 SBRFP3M60SAFQ、8A 的 SBRFP8A60P5Q。
- SBRFP 器件可作为同类肖特基和 PN 结二极管的直接替代品，具备业界领先的超低正向电压（VF）和低反向漏电流（IR），用于 DC-DC 转换器、反极性保护（RPP）、电池充电系统、汽车 LED 照明和变速箱控制系统。
- Diodes 专有且已获专利的 SBRFP 技术采用金属氧化物半导体（MOS）制造工艺，克服了肖特基和 PN 结二极管的局限性。
- SBRFP8A60P5Q 在 8A 下提供业界最低的最大正向电压 0.55V，可降低传导损耗并在高电流应用中实现更冷运行；SBRFP2M60P1Q 和 SBRFP3M60SAFQ 在 25°C 和 125°C 下最大反向漏电流分别为 12µA 和 7µA，有助于提高效率并降低高温下热失控风险。
- 新器件雪崩能力显著高于传统肖特基整流器，雪崩能量额定值最高达 145mJ，是传统肖特基整流器的五到十倍，可承受汽车电气系统中常见的浪涌事件、负载突降和瞬态条件。
- SBRFP 系列提供多种封装：PowerDI®123（SBRFP2M60P1Q）、PowerDI5（SBRFP8A60P5Q）、SMAF（SBRFP2M60SAFQ 和 SBRFP3M60SAFQ）；结温范围 -55°C 至 +175°C；1,000 件数量价格分别为 SBRFP2M60P1Q $0.08、SBRFP8A60P5Q $0.26、SBRFP2M60SAFQ $0.11、SBRFP3M60SAFQ $0.13。
供应链影响
- 该系列作为肖特基和 PN 结二极管的直接替代品，可能影响汽车级整流器在 DC-DC 转换器、反极性保护、电池充电、LED 照明和变速箱控制系统中的选型格局，具体替代程度取决于客户设计与认证要求。
- SBRFP8A60P5Q 在 8A 下最大正向电压 0.55V，可能有助于降低高电流应用中的传导损耗和热管理需求，但实际系统影响取决于具体工况与散热设计。
- SBRFP2M60P1Q 和 SBRFP3M60SAFQ 在 25°C 和 125°C 下最大反向漏电流分别为 12µA 和 7µA，可能降低高温下热失控风险，但最终可靠性表现取决于应用条件与系统保护设计。
- 雪崩能量额定值最高达 145mJ 且为传统肖特基的五到十倍，可能提升汽车电气系统对浪涌、负载突降和瞬态条件的耐受能力，但实际防护效果取决于器件选型与电路设计。
- 多封装选项（PowerDI®123、PowerDI5、SMAF）和 -55°C 至 +175°C 结温范围，可能支持不同汽车应用场景的供应链备选，但可用性与交期取决于 Diodes 的制造与分销安排。
系统解读，仅作为判断线索，不构成备货、出货、涨价或投资建议。
Diodes Incorporated（Diodes）（Nasdaq: DIOD）宣布推出其符合汽车标准*的场板超级势垒整流器（SBRFP）产品系列，包括 2A 的 SBRFP2M60P1Q 和 SBRFP2M60SAFQ、3A 的 SBRFP3M60SAFQ，以及 8A 的 SBRFP8A60P5Q。作为同类肖特基和 PN 结二极管的直接替代品，SBRFP 器件具备业界领先的超低正向电压（VF）和低反向漏电流（IR）。这一组合使得设计更高效、更可靠的 DC-DC 转换器、反极性保护（RPP）、电池充电系统、汽车 LED 照明和变速箱控制系统成为可能。
与传统肖特基整流器不同，Diodes 专有且已获专利的 SBRFP 技术采用金属氧化物半导体（MOS）制造工艺，克服了肖特基和 PN 结二极管的局限性。SBRFP8A60P5Q 在 8A 下提供业界最低的最大正向电压（VF）0.55V，可降低传导损耗并在高电流应用中实现更冷运行。同时，SBRFP2M60P1Q 和 SBRFP3M60SAFQ 提供业界领先的 IR 漏电流性能，在 25°C 和 125°C 下最大电流分别为 12µA 和 7µA。这些特性有助于提高效率，同时最大限度降低高温工作条件下热失控的风险。
新器件还提供显著高于传统肖特基整流器的雪崩能力。根据器件不同，雪崩能量额定值最高可达 145mJ，使整流器能够承受汽车电气系统中常见的浪涌事件、负载突降和瞬态条件。这一雪崩能力是传统肖特基整流器的五到十倍，提高了整体系统稳健性和可靠性。
SBRFP 系列提供多种封装，包括 PowerDI®123（SBRFP2M60P1Q）、PowerDI5（SBRFP8A60P5Q）和 SMAF（SBRFP2M60SAFQ 和 SBRFP3M60SAFQ）。这些器件在 -55°C 至 +175°C 的结温范围内保持稳定工作，使其适用于严苛的汽车环境。
SBRFP 系列以 1,000 件数量提供，价格如下：
SBRFP2M60P1Q $0.08
SBRFP8A60P5Q $0.26
SBRFP2M60SAFQ $0.11
SBRFP3M60SAFQ $0.13
关于 Diodes Incorporated
Diodes Incorporated（Nasdaq: DIOD）为汽车、工业、计算、消费电子和通信市场的全球领先公司提供高质量半导体产品。我们利用扩展的模拟和功率解决方案产品组合，结合灵活的混合制造模式，满足客户需求。我们广泛的应用特定产品，通过整体解决方案销售方法交付，并得到包括工程、测试、制造和客户服务在内的全球运营支持，使我们能够成为高增长市场的首选供应商。欲了解更多信息，请访问 www.diodes.com。
Diodes Incorporated (Diodes) (Nasdaq: DIOD) announces its family of automotive-compliant* field-plated Super Barrier Rectifier (SBRFP) products that include the 2A SBRFP2M60P1Q and SBRFP2M60SAFQ, 3A SBRFP3M60SAFQ, and 8A SBRFP8A60P5Q. Serving as drop-in replacements for comparable Schottky and PN junction diodes, the SBRFP devices feature industry-leading ultra-low forward voltage (VF) and low reverse leakage current (IR). This combination enables the design of more efficient and reliable DC-DC converters, reverse-polarity protection (RPP), battery charging systems, automotive LED lighting, and transmission control systems.
Unlike conventional Schottky rectifiers, Diodes’ proprietary and patented SBRFP technology employs a metal oxide semiconductor (MOS) manufacturing process that overcomes the limitations of Schottky and PN junction diodes. The SBRFP8A60P5Q delivers the industry’s lowest maximum forward voltage (VF) of 0.55V at 8A, reducing conduction losses and enabling cooler operation in high-current applications. Meanwhile, the SBRFP2M60P1Q and SBRFP3M60SAFQ provide industry-leading IR leakage performance, with maximum currents of 12µA and 7µA, at 25°C and 125°C. These characteristics help improve efficiency while minimizing the risk of thermal runaway under high-temperature operating conditions.
The new devices also offer significantly greater avalanche capability than traditional Schottky rectifiers. Depending on the device, avalanche energy ratings reach up to 145mJ, enabling the rectifiers to withstand surge events, load dumps, and transient conditions commonly encountered in automotive electrical systems. This avalanche capability is five to ten times greater than conventional Schottky rectifiers, improving overall system robustness and reliability.
The SBRFP family is available in various packages, including PowerDI®123 (SBRFP2M60P1Q), PowerDI5 (SBRFP8A60P5Q), and SMAF (SBRFP2M60SAFQ and SBRFP3M60SAFQ). The devices maintain stable operation across a junction temperature range of -55°C to +175°C, making them suitable for harsh automotive environments.
The SBRFP family is available in 1,000-piece quantities at:
SBRFP2M60P1Q $0.08
SBRFP8A60P5Q $0.26
SBRFP2M60SAFQ $0.11
SBRFP3M60SAFQ $0.13
About Diodes Incorporated
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) delivers high-quality semiconductor products to the world’s leading companies in the automotive, industrial, computing, consumer electronics, and communications markets. We leverage our expanded product portfolio of analog and power solutions combined with a flexible hybrid manufacturing model to meet customers’ needs. Our broad range of application-specific products, delivered through a total solutions sales approach and supported by global operations including engineering, testing, manufacturing, and customer service, enable us to be a premier provider for high-growth markets. For more information, visit www.diodes.com.