CXMT目标比三星提前两年量产4F² DRAM，但中国能缩小技术差距吗？
CXMT targets 4F² DRAM production two years ahead of Samsung, but can China close technology gap?
中文摘要
中国长鑫存储（CXMT）计划在2026年底前量产下一代4F² DRAM，可能早于韩国竞争对手三星电子和SK海力士。该消息涉及DRAM存储芯片的技术路线与量产时间表，与存储元器件供应链相关。
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