ASML、台积电联手推进 High NA EUV 应用,12 吋光罩布局瞄准 2033 年量产
中文摘要
ASML与台积电宣布合作,共同推进High NA EUV光刻技术应用,并布局12英寸光罩,目标于2033年实现量产。此举旨在引领半导体产业向更大尺寸光罩转移升级,涉及先进制程设备与材料供应链。
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ASML与台积电宣布合作,共同推进High NA EUV光刻技术应用,并布局12英寸光罩,目标于2033年实现量产。此举旨在引领半导体产业向更大尺寸光罩转移升级,涉及先进制程设备与材料供应链。
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