三星与SK海力士在2028年10纳米以下DRAM的单元设计上出现分歧
Samsung, SK Hynix diverge on cell design for sub-10nm DRAM in 2028
中文摘要
三星电子与SK海力士准备在2028年将DRAM制程推进至10纳米以下，两家存储厂商采用不同的单元结构，因传统微缩方式日益困难。原文未提及具体时间地点、关键数字与型号，也未说明对元器件供应链的影响。
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