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芯查查资讯原文发布 08-19 18:38Radar 收录 08-19 20:01查看原文 ↗

技术 | GaN耐压迈入2200V,PI PowiGaN如何突破GaN耐压边界?

中文摘要

氮化镓功率器件长期用于快充、电源适配器等中低功率市场。PI推出PowiGaN技术,使GaN耐压达到2200V,突破耐压边界,拓展至工业电源、光伏储能、新能源汽车和数据中心等高电压大功率应用。

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