三星电子氮化镓半导体试生产出现故障 年内量产计划或延期
中文摘要
8月1日,据韩媒TheElec援引业内人士消息,三星电子8英寸氮化镓(GaN)半导体晶圆代工产线在试生产阶段遭遇可靠性瓶颈,部分芯片在高温下运行约1000小时后失效,原定年内量产目标预计延后。
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8月1日,据韩媒TheElec援引业内人士消息,三星电子8英寸氮化镓(GaN)半导体晶圆代工产线在试生产阶段遭遇可靠性瓶颈,部分芯片在高温下运行约1000小时后失效,原定年内量产目标预计延后。
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