SK海力士扩展EUV路线图，采用High-NA工具和PSM

SK海力士宣布在下一代DRAM量产中推进极紫外（EUV）光刻技术的应用，已引入高数值孔径（High-NA）EUV设备，并采用相移掩模（PSM）技术。此举旨在提升制程精度，满足先进存储芯片需求。该进展与半导体制造设备供应链相关，涉及EUV设备及掩模材料供应。