长飞先进 ：多代SiC MOSFET集中发布，应用能力决定长期格局

10月15日，长飞先进在深圳举办主题为“Everest巅峰之上・跨越四年的技术长征”技术发布会，一次性披露第四代至第六代平面栅SiC MOSFET芯片及1500V-3300V中高压器件矩阵，同时推出DeepXE™嵌入式功率模块与EZ系列特色功率模块。原文提及车规主驱、AI数据中心两大高景气赛道驱动国产SiC厂商竞争，从器件参数比拼延伸至可靠性、封装创新与系统解决方案的综合较量。