High-NA EUV之争:英特尔与台积电走向两种先进制程路线
中文摘要
芯片制程逼近物理极限,先进制造竞争从节点竞赛转向晶体管架构、光刻技术、先进封装及制造生态的综合竞争。英特尔与台积电在High-NA EUV光刻技术上选择不同路线,分别推进各自先进制程发展。
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芯片制程逼近物理极限,先进制造竞争从节点竞赛转向晶体管架构、光刻技术、先进封装及制造生态的综合竞争。英特尔与台积电在High-NA EUV光刻技术上选择不同路线,分别推进各自先进制程发展。
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