东芝攻克 SiC MOSFET 电压漂移，长期可靠性再提升
中文摘要
东芝持续推进碳化硅（SiC）功率半导体技术，宣布开发沟槽闸极（Trench-gate）SiC MOSFET，攻克电压漂移问题，提升长期可靠性。原文未披露具体型号、量产时间、地点与供应链影响。
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东芝持续推进碳化硅（SiC）功率半导体技术，宣布开发沟槽闸极（Trench-gate）SiC MOSFET，攻克电压漂移问题，提升长期可靠性。原文未披露具体型号、量产时间、地点与供应链影响。
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