面向2.5D/3D先进封装,长电科技高深宽比TSV研发取得突破
中文摘要
8月19日,长电科技宣布在高深宽比先进TSV技术研发上取得重要进展,并与合作伙伴共同完成样品试制。该技术面向2.5D/3D先进封装,有助于提升芯片集成度与性能,对先进封装供应链具有积极意义。
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8月19日,长电科技宣布在高深宽比先进TSV技术研发上取得重要进展,并与合作伙伴共同完成样品试制。该技术面向2.5D/3D先进封装,有助于提升芯片集成度与性能,对先进封装供应链具有积极意义。
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