DRAM巨头瞄准3D堆叠以突破内存墙和功耗瓶颈
DRAM giants target 3D stacking to break memory wall and power bottlenecks
中文摘要
在2026年Semicon Taiwan上，三星电子、SK海力士和美光的 executives 同台表示，传统采用中介层的2.5D高带宽内存（HBM）正接近性能极限，并一致认为3D堆叠是未来方向。三家公司均计划推进3D DRAM技术研发，以解决内存墙和功耗瓶颈问题。
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