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科技新报 TechNews原文发布 09-09 16:45Radar 收录 09-10 03:02查看原文 ↗繁→简

生产 HBM 比 DRAM 难多了!中国长鑫存储 HBM3 良率最佳仅 30%

中文摘要

市场消息指出,中国记忆体大厂长鑫存储(CXMT)在高频宽记忆体(HBM)的生产上正面临严重的良率与封装挑战。据悉,其HBM3产品良率最佳仅约30%,远低于DRAM生产水准,显示HBM制造难度远高于传统DRAM。

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