专栏：从3D NAND到3D DRAM——垂直堆叠如何重塑存储芯片制造
Column: From 3D NAND to 3D DRAM — how vertical stacking is reshaping memory chip manufacturing
中文摘要
2013年后，平面NAND闪存在15–16nm工艺节点开始触及微缩极限，相邻存储单元浮栅之间的电容耦合日益干扰。文章以3D NAND到3D DRAM为线索，讨论垂直堆叠技术如何重塑存储芯片制造。
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