斗山将存储封装CCL绝缘层减薄至13微米
Doosan thins memory-package CCL insulation to 13µm
中文摘要
斗山集团电子材料业务部门开发出铜箔基板（CCL）技术，将存储半导体封装基板中使用的预浸料（PPG）绝缘层厚度从约15微米减薄至13微米。该技术旨在满足先进存储封装对更薄、更高密度互连的需求，有助于提升信号完整性和散热性能，对存储芯片封装供应链具有潜在影响。
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