三星据报完成4F² DRAM开发，中国长鑫存储瞄准年底推出
Samsung reportedly completes 4F² DRAM development as China's CXMT targets year-end launch
中文摘要
三星电子据报已完成下一代4F² DRAM技术开发，正按客户需求推进商业化。与此同时，中国长鑫存储（CXMT）计划于年底推出相关产品。该进展涉及DRAM存储芯片的技术演进与量产节奏，与存储元器件供应链的产能与技术路线相关。
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