← 返回全部时间线
ETNews English(韩国半导体)原文发布 10-14 09:26Radar 收录 10-14 09:51查看原文 ↗

三星在OCP全球峰会上公布AI内存与存储路线图

Samsung Unveils AI Memory and Storage Roadmap at OCP Global Summit
中文摘要

三星电子在OCP全球峰会上公布面向AI基础设施的内存与存储路线图,涉及高带宽内存HBM、Compute Express Link(CXL)以及下一代固态存储产品。此举旨在扩大其在AI基础设施领域的布局。

原文深度解读

本文报道三星电子在2026年OCP全球峰会上公布面向AI基础设施的内存与存储路线图,涉及HBM5、定制HBM、PIM、CXL内存模块CMM-D、下一代SSD和高容量QLC技术,并与AMD联合展示CXL内存扩展方案。文章还提到三星通过Samsung MAX Lab和GOST推动与客户及合作伙伴的联合设计与开源标准化。时间地点为10月12日(当地时间)美国加州圣何塞,三星以最高级别Diamond赞助商身份连续第二年参会。与电子元器件供应链的关系在于,这些内存与存储技术路线可能影响AI服务器和数据中心对HBM、CXL内存模块、SSD等关键元器件的需求结构与系统设计协同方式。

  • 三星电子在2026年OCP全球峰会公布下一代内存与存储技术战略及与全球伙伴合作成果,峰会于10月12日(当地时间)在加州圣何塞开幕。
  • 三星电子Advanced Engineering(AE)团队执行董事Ho-jun Shim提出提升AI基础设施性能的三个技术优先方向:速度、内存可扩展性和数据持久性。
  • 原文指出,随着AI模型变大以及推理过程中存储数据和中间计算信息的键值(KV)缓存增加,内存容量以及存储和管理效率正变得与内存带宽同样重要。
  • 三星计划通过HBM5、定制HBM和存内计算(PIM)技术提升数据处理速度与计算效率,并通过基于CXL的内存模块CMM-D扩大内存容量,通过下一代SSD和高容量QLC技术提升大量AI数据的存储与管理效率。
  • 三星与AMD联合展示基于CXL的内存扩展方案,使用基于CMM-D的内存池化技术,展示多个系统高效共享内存资源并灵活获取AI推理所需内存容量的方式。
  • 三星推出Samsung MAX Lab作为协作环境,在真实AI工作负载下评估内存和存储技术并支持按客户系统需求进行联合设计;同时通过Global Open Ecosystem Team(GOST)参与开源软件开发和标准化活动,展示KV缓存优化和direct storage等存储软件技术。

供应链影响

  • 若HBM5、定制HBM和PIM按路线图推进,AI服务器和数据中心对高带宽内存及相关先进封装环节的依赖可能进一步上升,具体节奏取决于产品量产与客户验证进展。
  • CMM-D等CXL内存模块及与AMD联合展示的内存池化方案,可能推动服务器系统对CXL内存扩展与共享架构的采用,从而影响内存模块、接口与系统集成环节的协同需求。
  • 下一代SSD和高容量QLC技术的推进,可能改变AI数据存储与管理环节对固态存储容量和效率的需求结构,但实际影响取决于AI工作负载部署和客户系统设计节奏。
  • Samsung MAX Lab和GOST所体现的早期联合设计与开源标准化,可能使内存、存储、CPU、GPU之间的系统级优化更早进入供应链协同,具体效果取决于全球客户和合作伙伴的参与程度。
  • 三星以Diamond赞助商身份连续第二年参与OCP全球峰会,可能反映其持续投入开放硬件生态和AI基础设施标准化的意图,对供应链生态合作方向的影响取决于后续标准落地情况。

系统解读,仅作为判断线索,不构成备货、出货、涨价或投资建议。

正文内容 · AI翻译

三星电子Device Solutions(DS)部门Memory业务Advanced Engineering(AE)团队执行副总裁Ho-jun Shim于10月12日(当地时间)在加州硅谷举行的OCP Global Summit 2026上发表演讲。

三星电子正在加大力度,通过高带宽内存(HBM)、Compute Express Link(CXL)和下一代固态硬盘(SSD)扩大其在人工智能(AI)基础设施领域的存在。该公司旨在提升内存速度和容量,改善数据存储和管理效率,并扩大与全球合作伙伴的联合系统设计。

三星电子在10月12日(当地时间)于加州圣何塞开幕的OCP Global Summit 2026上,公布了其下一代内存和存储技术战略以及与全球合作伙伴的合作成果。

三星电子Advanced Engineering(AE)团队执行董事Ho-jun Shim在开幕当天的一场演讲中,确定了提升AI基础设施性能的三个技术优先方向:速度、内存可扩展性和数据持久性。Shim解释说,随着AI模型变得更大,以及推理过程中存储数据和中间计算信息的键值(KV)缓存增加,内存容量以及存储和管理效率正变得与内存带宽同样重要。

三星电子计划通过HBM5、定制HBM和存内计算(PIM)技术提升数据处理速度和计算效率,该技术在内存内执行部分计算。该公司还计划通过基于CXL的内存模块CMM-D扩大内存容量,并通过下一代SSD和高容量四级单元(QLC)技术提升大量AI数据的存储和管理效率。

在此次活动上,三星电子正与AMD联合展示基于CXL的内存扩展解决方案。利用基于CMM-D的内存池化技术,两家公司正在展示多个系统高效共享内存资源并灵活获取AI推理所需内存容量的方式。

三星电子还推出一个协作框架,用于从开发早期阶段就与客户联合设计AI系统。Samsung MAX Lab是一个协作环境,在真实AI工作负载下评估内存和存储技术,并支持根据客户系统需求进行定制联合设计。

三星电子还通过其Global Open Ecosystem Team(GOST)参与开源软件开发和标准化活动。在此次活动上,该公司正在展示提升数据处理效率的存储软件技术,包括KV缓存优化和direct storage。

除了提升单个内存产品的性能外,三星电子还计划推进涵盖CPU、GPU、内存和存储的系统级优化,同时扩大与全球客户和合作伙伴的联合设计和技术验证。

OCP Global Summit汇集全球IT、半导体、服务器和数据中心公司,讨论开放硬件技术、标准化以及AI基础设施创新。三星电子连续第二年以Diamond赞助商身份参与,这是该活动的最高赞助级别。

Ho-jun Shim, an executive vice president on the Advanced Engineering (AE) team in Samsung Electronics' Memory Business under its Device Solutions (DS) Division, speaks at the OCP Global Summit 2026 in Silicon Valley, California, on Oct. 12 (local time).

Samsung Electronics is stepping up efforts to expand its presence in artificial intelligence (AI) infrastructure with high-bandwidth memory (HBM), Compute Express Link (CXL) and next-generation solid-state drives (SSDs). The company aims to increase memory speed and capacity, improve data storage and management efficiency, and expand joint system design with global partners.

Samsung Electronics unveiled its next-generation memory and storage technology strategy and the results of collaborations with global partners at the OCP Global Summit 2026, which opened in San Jose, California, on Oct. 12 (local time).

Ho-jun Shim, an executive director on Samsung Electronics' Advanced Engineering (AE) team, identified three technological priorities for improving AI infrastructure performance during a presentation on the opening day: speed, memory scalability and data persistence. Shim explained that as AI models grow larger and key-value (KV) caches, which store data and intermediate computation information during inference, increase, memory capacity and storage and management efficiency are becoming as important as memory bandwidth.

Samsung Electronics plans to improve data processing speeds and computational efficiency through HBM5, customized HBM and processing-in-memory (PIM) technology, which performs some computations within memory. The company also aims to expand memory capacity with CMM-D, a CXL-based memory module, and improve the efficiency of storing and managing large volumes of AI data through next-generation SSDs and high-capacity quad-level cell (QLC) technology.

At the event, Samsung Electronics is jointly demonstrating a CXL-based memory expansion solution with AMD. Using CMM-D-based memory pooling technology, the companies are showcasing ways for multiple systems to efficiently share memory resources and flexibly secure the memory capacity required for AI inference.

Samsung Electronics is also introducing a collaborative framework for jointly designing AI systems with customers from the early stages of development. Samsung MAX Lab is a collaborative environment that evaluates memory and storage technologies under real-world AI workloads and supports joint design tailored to customers' system requirements.

Samsung Electronics is also participating in open-source software development and standardization activities through its Global Open Ecosystem Team (GOST). At the event, the company is showcasing storage software technologies that improve data processing efficiency, including KV cache optimization and direct storage.

Alongside improving the performance of individual memory products, Samsung Electronics plans to pursue system-level optimization encompassing CPUs, GPUs, memory and storage, while expanding joint design and technology validation with global customers and partners.

The OCP Global Summit brings together global IT, semiconductor, server and data center companies to discuss open hardware technologies, standardization and innovation in AI infrastructure. Samsung Electronics is participating as a Diamond sponsor, the event's highest sponsorship tier, for the second consecutive year.

↑