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DigiTimes原文发布 10-16 14:57Radar 收录 10-16 15:06查看原文 ↗

三星与SK海力士拟以zHBM、HBF缓解AI内存瓶颈

Samsung, SK Hynix aim to ease AI memory bottlenecks with zHBM, HBF
中文摘要

三星电子与SK海力士正在开发新型存储技术,以应对AI系统日益严重的内存瓶颈。三星探索将高带宽内存(HBM)直接堆叠于其上的设计,即zHBM;两家公司同时推进HBF技术。上述技术均处于研发阶段,尚未公布量产时间、产能规模或具体型号。该动向与AI服务器对HBM等存储器件供应趋紧的元器件供应链背景相关。

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