北方华创3D DRAM蚀刻突破，或为长鑫存储提供EUV之外的新路径
Naura 3D DRAM etching breakthrough could give CXMT a new path beyond EUV
中文摘要
中国北方华创已演示用于64层3D DRAM结构的选通蚀刻工艺，可能为国内存储器制造商提供另一条提高晶体管密度的途径，同时规避EUV光刻限制。该技术突破与半导体设备及存储芯片供应链相关。
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